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RS1G201ATTB1

RS1G201ATTB1 ROHM

rs1g201attb1-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 4200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Wandlerpolarität: p-Kanal
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Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
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Technische Details RS1G201ATTB1 ROHM

Description: ROHM - RS1G201ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 78 A, 4200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: HSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RS1G201ATTB1 RS1G201ATTB1 Rohm Semiconductor rs1g201attb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
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RS1G201ATTB1 RS1G201ATTB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RS1G201AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs HSOP8 P-CH 40V 20A
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Kanaltyp: p-Kanal
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Trans MOSFET P-CH 40V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
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MOSFETs HSOP8 P-CH 40V 20A
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