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RS1L151ATTB1

RS1L151ATTB1 ROHM

rs1l151attb1-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0113 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0089ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.38 EUR
500+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details RS1L151ATTB1 ROHM

Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0113 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 3W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: HSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0089ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RS1L151ATTB1 RS1L151ATTB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1L151AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 30 V
auf Bestellung 2243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.35 EUR
10+4.82 EUR
100+3.38 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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RS1L151ATTB1 RS1L151ATTB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RS1L151AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs HSOP8 P-CH 60V 56A
auf Bestellung 12200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.44 EUR
10+4.88 EUR
100+3.42 EUR
500+2.84 EUR
2500+2.68 EUR
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RS1L151ATTB1 RS1L151ATTB1 ROHM datasheet?p=RS1L151AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0089 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 19587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.38 EUR
45+5.25 EUR
100+3.47 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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RS1L151ATTB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 30 V
auf Bestellung 2243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.35 EUR
10+4.82 EUR
100+3.38 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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RS1L151ATTB1
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 P-CH 60V 56A
auf Bestellung 12200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.44 EUR
10+4.88 EUR
100+3.42 EUR
500+2.84 EUR
2500+2.68 EUR
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RS1L151ATTB1 datasheet?p=RS1L151AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RS1L151ATTB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0089 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 19587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.38 EUR
45+5.25 EUR
100+3.47 EUR
500+2.87 EUR
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Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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