Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RS1P600BHTB1
RS1P600BHTB1

RS1P600BHTB1 Rohm Semiconductor

rs1p600bhtb1-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 50 V
auf Bestellung 2412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.12 EUR
10+4.68 EUR
100+3.28 EUR
500+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RS1P600BHTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS1P600BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8800 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 35W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm.

Weitere Produktangebote RS1P600BHTB1 nach Preis ab 2.76 EUR bis 7.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RS1P600BHTB1 RS1P600BHTB1 ROHM Semiconductor rs1p600bhtb1-e.pdf MOSFETs HSOP8 100V 60A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.6 EUR
10+4.66 EUR
100+3.52 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.89 EUR
2500+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BHTB1 RS1P600BHTB1 ROHM rs1p600bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RS1P600BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8800 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BHTB1 RS1P600BHTB1 ROHM rs1p600bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RS1P600BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8800 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BHTB1 rs1p600bhtb1-e.pdf
RS1P600BHTB1
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 100V 60A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.6 EUR
10+4.66 EUR
100+3.52 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.89 EUR
2500+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BHTB1 rs1p600bhtb1-e.pdf
RS1P600BHTB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS1P600BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8800 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1P600BHTB1 rs1p600bhtb1-e.pdf
RS1P600BHTB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS1P600BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8800 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH