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RS3E135BNGZETB Rohm Semiconductor


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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
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Technische Details RS3E135BNGZETB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: 8-SOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 9.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), FET Type: N-Channel.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RS3E135BNGZETB RS3E135BNGZETB Rohm Semiconductor rs3e135bngzetb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin SOP T/R
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RS3E135BNGZETB RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor rs3e135bngzetb-e.pdf MOSFETs Nch 30V 13.5A Si MOSFET
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Packaging: Cut Tape (CT)
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Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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