Produkte > ROHM > RS3L110ATTB1
RS3L110ATTB1

RS3L110ATTB1 ROHM

rs3l110attb1-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS3L110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.0101 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.21 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RS3L110ATTB1 ROHM

Description: ROHM - RS3L110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.0101 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RS3L110ATTB1 nach Preis ab 2.07 EUR bis 7.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RS3L110ATTB1 RS3L110ATTB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RS3L110AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -11.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.18 EUR
10+4.02 EUR
100+2.78 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.23 EUR
2500+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS3L110ATTB1 RS3L110ATTB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RS3L110AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 30 V
auf Bestellung 2355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.31 EUR
10+4.09 EUR
100+2.84 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS3L110ATTB1 RS3L110ATTB1 ROHM datasheet?p=RS3L110AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RS3L110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.0101 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
auf Bestellung 1374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.45 EUR
52+4.5 EUR
100+2.87 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS3L110ATTB1 datasheet?p=RS3L110AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RS3L110ATTB1
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -11.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.18 EUR
10+4.02 EUR
100+2.78 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.23 EUR
2500+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS3L110ATTB1 datasheet?p=RS3L110AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RS3L110ATTB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 30 V
auf Bestellung 2355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.31 EUR
10+4.09 EUR
100+2.84 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS3L110ATTB1 datasheet?p=RS3L110AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RS3L110ATTB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS3L110ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.0101 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
auf Bestellung 1374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+7.45 EUR
52+4.5 EUR
100+2.87 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH