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RS6E120BGTB1

RS6E120BGTB1 Rohm Semiconductor


rs6e120bgtb1-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 270A 8-Pin HSOP EP T/R
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Technische Details RS6E120BGTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS6E120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 0.0011 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 270A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 138W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: To Be Advised.

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RS6E120BGTB1 RS6E120BGTB1 Hersteller : ROHM Semiconductor MOSFETs 30V 270A HSOP8, Power MOSFET
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RS6E120BGTB1 RS6E120BGTB1 Hersteller : ROHM 4197368.pdf Description: ROHM - RS6E120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 0.0011 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: To Be Advised
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RS6E120BGTB1 RS6E120BGTB1 Hersteller : ROHM 4197368.pdf Description: ROHM - RS6E120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 0.0011 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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