RS6G120BGTB1 Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.78 EUR |
| 10000+ | 1.61 EUR |
| 15000+ | 1.46 EUR |
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Technische Details RS6G120BGTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote RS6G120BGTB1 nach Preis ab 2.83 EUR bis 10.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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RS6G120BGTB1 | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R |
auf Bestellung 1756 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6G120BGTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6G120BGTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R |
auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs HSOP8 N-CH 40V 210A |
auf Bestellung 7131 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RS6G120BGTB1 | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V |
auf Bestellung 2081 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RS6G120BGTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6G120BGTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 55 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RS6G120BGTB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 1756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 4.52 EUR |
| RS6G120BGTB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 4.61 EUR |
| RS6G120BGTB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 6.94 EUR |
| RS6G120BGTB1 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 N-CH 40V 210A
MOSFETs HSOP8 N-CH 40V 210A
auf Bestellung 7131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.77 EUR |
| 10+ | 4.86 EUR |
| 100+ | 3.67 EUR |
| 500+ | 3.36 EUR |
| 1000+ | 3.17 EUR |
| 2500+ | 2.83 EUR |
| RS6G120BGTB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
auf Bestellung 2081 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.21 EUR |
| 10+ | 5.41 EUR |
| 100+ | 3.82 EUR |
| 500+ | 3.31 EUR |
| RS6G120BGTB1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 10.29 EUR |
| 39+ | 5.99 EUR |
| RS6G120BGTB1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)