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RS6G120BHTB1

RS6G120BHTB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RS6G120BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details RS6G120BHTB1 Rohm Semiconductor

Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-HSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RS6G120BHTB1 RS6G120BHTB1 Hersteller : Rohm Semiconductor rs6g120bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
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RS6G120BHTB1 RS6G120BHTB1 Hersteller : Rohm Semiconductor rs6g120bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
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RS6G120BHTB1 RS6G120BHTB1 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RS6G120BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs HSOP8 N CHAN 40V
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1000+2.01 EUR
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RS6G120BHTB1 RS6G120BHTB1 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RS6G120BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V
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3+6.09 EUR
10+3.90 EUR
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100+2.68 EUR
250+2.36 EUR
500+2.17 EUR
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