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RS6G120CHTB1

RS6G120CHTB1 Rohm Semiconductor


rs6g120chtb1-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
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Technische Details RS6G120CHTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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RS6G120CHTB1 RS6G120CHTB1 Hersteller : Rohm Semiconductor rs6g120chtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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RS6G120CHTB1 RS6G120CHTB1 Hersteller : ROHM 4461466.pdf Description: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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