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RS6L090BGTB1

RS6L090BGTB1 Rohm Semiconductor

rs6l090bgtb1-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
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Technische Details RS6L090BGTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0036 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 Rohm Semiconductor rs6l090bgtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.09 EUR
100+1.98 EUR
250+1.86 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
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RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 ROHM rs6l090bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0036 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.31 EUR
500+2.11 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 Rohm Semiconductor rs6l090bgtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 Rohm Semiconductor rs6l090bgtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 ROHM Semiconductor rs6l090bgtb1-e.pdf MOSFETs HSOP8 N-CH 60V 90A
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+3.25 EUR
100+2.49 EUR
500+2 EUR
1000+1.92 EUR
2500+1.86 EUR
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RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 ROHM rs6l090bgtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0036 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
67+3.5 EUR
100+2.31 EUR
500+2.11 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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RS6L090BGTB1 RS6L090BGTB1 Rohm Semiconductor rs6l090bgtb1-e.pdf Description: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.62 EUR
10+3.63 EUR
100+2.51 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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RS6L090BGTB1 rs6l090bgtb1-e.pdf
RS6L090BGTB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
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100+1.98 EUR
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1000+1.67 EUR
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RS6L090BGTB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0036 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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RS6L090BGTB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 127 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
51+3.53 EUR
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MOSFETs HSOP8 N-CH 60V 90A
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500+2 EUR
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2500+1.86 EUR
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RS6L090BGTB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0036 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1000+2.02 EUR
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Description: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
auf Bestellung 700 Stücke:
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10+3.63 EUR
100+2.51 EUR
500+2.02 EUR
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