RS6N120BHTB1 Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 35+ | 4.64 EUR |
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Technische Details RS6N120BHTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RS6N120BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0028 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote RS6N120BHTB1 nach Preis ab 2.06 EUR bis 6.07 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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RS6N120BHTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 80V 135A 8-Pin HSOP EP T/R |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6N120BHTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 6V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V |
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RS6N120BHTB1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET: RS6N120BH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching. |
auf Bestellung 7361 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RS6N120BHTB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RS6N120BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0028 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6N120BHTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 135A 8-Pin HSOP EP T/R |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6N120BHTB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RS6N120BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0028 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6N120BHTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 6V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V |
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