RS6P060BHTB1 Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 1.01 EUR |
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| 20000+ | 0.72 EUR |
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Technische Details RS6P060BHTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RS6P060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RS6P060BHTB1 nach Preis ab 1.69 EUR bis 4.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R |
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RS6P060BHTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R |
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RS6P060BHTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 50 V |
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RS6P060BHTB1 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs HS0P8 100V 60A N CHAN |
auf Bestellung 4624 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RS6P060BHTB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RS6P060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 73W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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RS6P060BHTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R |
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RS6P060BHTB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RS6P060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 73W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6P060BHTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 50 V |
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