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RS6P100BHTB1

RS6P100BHTB1 Rohm Semiconductor

rs6p100bhtb1-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
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Technische Details RS6P100BHTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RS6P100BHTB1 RS6P100BHTB1 Hersteller : Rohm Semiconductor rs6p100bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
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RS6P100BHTB1 RS6P100BHTB1 Hersteller : Rohm Semiconductor rs6p100bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
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RS6P100BHTB1 RS6P100BHTB1 Hersteller : Rohm Semiconductor rs6p100bhtb1-e.pdf Description: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 50 V
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3+6.81 EUR
10+4.49 EUR
100+3.16 EUR
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Mindestbestellmenge: 3
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RS6P100BHTB1 RS6P100BHTB1 Hersteller : ROHM Semiconductor rs6p100bhtb1-e.pdf MOSFETs HSOP8 100V 100A
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100+3.26 EUR
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1000+2.52 EUR
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RS6P100BHTB1 RS6P100BHTB1 Hersteller : ROHM rs6p100bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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RS6P100BHTB1 RS6P100BHTB1 Hersteller : Rohm Semiconductor rs6p100bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RS6P100BHTB1 RS6P100BHTB1 Hersteller : ROHM rs6p100bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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RS6P100BHTB1 RS6P100BHTB1 Hersteller : Rohm Semiconductor rs6p100bhtb1-e.pdf Description: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 50 V
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