Technische Details RS6P100BHTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RS6P100BHTB1 nach Preis ab 2.53 EUR bis 7.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6P100BHTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSFPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1272 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs HSOP8 100V 100A |
auf Bestellung 1198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RS6P100BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RS6P100BHTB1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.06 EUR |
| RS6P100BHTB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 3.14 EUR |
| RS6P100BHTB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 3.49 EUR |
| RS6P100BHTB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 4.38 EUR |
| 50+ | 3.87 EUR |
| 100+ | 3.2 EUR |
| 250+ | 2.95 EUR |
| 500+ | 2.53 EUR |
| RS6P100BHTB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 2500+ | 4.38 EUR |
| RS6P100BHTB1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RS6P100BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 7.09 EUR |
| 52+ | 4.55 EUR |
| 100+ | 3.06 EUR |
| RS6P100BHTB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 50 V
Description: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 50 V
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.64 EUR |
| 10+ | 5.01 EUR |
| 100+ | 3.52 EUR |
| 500+ | 2.96 EUR |
| RS6P100BHTB1 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 100V 100A
MOSFETs HSOP8 100V 100A
auf Bestellung 1198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.72 EUR |
| 10+ | 4.93 EUR |
| 100+ | 3.56 EUR |
| 500+ | 3.01 EUR |
| 1000+ | 3 EUR |
| 2500+ | 2.81 EUR |
| RS6P100BHTB1 |
![]() |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)




