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RS6R035BHTB1

RS6R035BHTB1 Rohm Semiconductor

rs6r035bhtb1-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R
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Technische Details RS6R035BHTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS6R035BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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RS6R035BHTB1 RS6R035BHTB1 Hersteller : Rohm Semiconductor rs6r035bhtb1-e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 35A 8-Pin HSOP EP T/R
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RS6R035BHTB1 RS6R035BHTB1 Hersteller : Rohm Semiconductor rs6r035bhtb1-e.pdf Description: NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 75 V
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RS6R035BHTB1 RS6R035BHTB1 Hersteller : ROHM Semiconductor rs6r035bhtb1-e.pdf MOSFETs HSMT8 150V 35A N CHAN
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RS6R035BHTB1 RS6R035BHTB1 Hersteller : ROHM rs6r035bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6R035BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 90 Stücke:
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RS6R035BHTB1 RS6R035BHTB1 Hersteller : ROHM rs6r035bhtb1-e.pdf Description: ROHM - RS6R035BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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RS6R035BHTB1 RS6R035BHTB1 Hersteller : Rohm Semiconductor rs6r035bhtb1-e.pdf Description: NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 75 V
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