RS6R060BHTB1 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details RS6R060BHTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RS6R060BHTB1 nach Preis ab 2.87 EUR bis 7.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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RS6R060BHTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6R060BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6R060BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R |
auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6R060BHTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS6R060BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-HSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 4742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RS6R060BHTB1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs HSOP8 150V 60A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 3871 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RS6R060BHTB1 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RS6R060BHTB1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.87 EUR |
| RS6R060BHTB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 4.02 EUR |
| RS6R060BHTB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 6.52 EUR |
| RS6R060BHTB1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RS6R060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0167 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Dauer-Drainstrom Id: 60A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0167ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 6.62 EUR |
| 55+ | 4.27 EUR |
| 100+ | 2.87 EUR |
| RS6R060BHTB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.41 EUR |
| 10+ | 4.88 EUR |
| 100+ | 3.44 EUR |
| 500+ | 3.11 EUR |
| RS6R060BHTB1 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSOP8 150V 60A N-CH MOSFET
MOSFETs HSOP8 150V 60A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.91 EUR |
| 10+ | 5.05 EUR |
| 100+ | 3.67 EUR |
| 500+ | 3.12 EUR |
| 1000+ | 3.01 EUR |
| 2500+ | 2.92 EUR |
| RS6R060BHTB1 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)