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RS7E200BGTB1

RS7E200BGTB1 ROHM Semiconductor


Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN5060 N-CH 30V 390A
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Technische Details RS7E200BGTB1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RS7E200BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 390 A, 670 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 180W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RS7E200BGTB1 RS7E200BGTB1 ROHM Description: ROHM - RS7E200BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 390 A, 670 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 180W
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
auf Bestellung 67 Stücke:
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RS7E200BGTB1 RS7E200BGTB1 ROHM Description: ROHM - RS7E200BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 390 A, 670 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
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RS7E200BGTB1
RS7E200BGTB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS7E200BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 390 A, 670 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
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23+11.29 EUR
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RS7E200BGTB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS7E200BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 390 A, 670 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
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