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RS7N160BHTB1

RS7N160BHTB1 ROHM Semiconductor

datasheet?p=RS7N160BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN5060 N-CH 80V 160A
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Technische Details RS7N160BHTB1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RS7N160BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 2600 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 160W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RS7N160BHTB1 RS7N160BHTB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RS7N160BH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 80V 160A, DFN5060-8S, POWER
auf Bestellung 1907 Stücke:
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 90 Stücke:
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
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Description: NCH 80V 160A, DFN5060-8S, POWER
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Description: ROHM - RS7N160BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 2600 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
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Description: ROHM - RS7N160BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 2600 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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