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RS7N200BHTB1

RS7N200BHTB1 ROHM Semiconductor


Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN5060 N-CH 80V 230A
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Technische Details RS7N200BHTB1 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RS7N200BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 230 A, 2000 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: DFN5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RS7N200BHTB1 RS7N200BHTB1 Hersteller : ROHM 4461469.pdf Description: ROHM - RS7N200BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 230 A, 2000 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: DFN5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 100 Stücke:
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RS7N200BHTB1 RS7N200BHTB1 Hersteller : ROHM 4461469.pdf Description: ROHM - RS7N200BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 230 A, 2000 µohm, DFN5060, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
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