| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.6 EUR |
| 10+ | 5.05 EUR |
| 100+ | 3.61 EUR |
| 500+ | 3.41 EUR |
| 1000+ | 3.24 EUR |
| 2500+ | 2.9 EUR |
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Technische Details RS7P200BMTB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RS7P200BMTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 4000 µohm, DFN5060-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 217W, Bauform - Transistor: DFN5060-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RS7P200BMTB1 nach Preis ab 3.37 EUR bis 8.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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RS7P200BMTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 100V 200A, DFN5060-8S, WIDE-Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DFN5060-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1082 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RS7P200BMTB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RS7P200BMTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 4000 µohm, DFN5060-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: DFN5060-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS7P200BMTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 100V 200A, DFN5060-8S, WIDE- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DFN5060-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 50 V |
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