RSC002P03T316 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.098 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RSC002P03T316 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSC002P03T316 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RSC002P03T316 nach Preis ab 0.089 EUR bis 0.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSC002P03T316 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
RSC002P03T316 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 7531 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
RSC002P03T316 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 250MA SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
RSC002P03T316 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -30V -250mA SOT-23 |
auf Bestellung 11423 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
RSC002P03T316 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RSC002P03T316 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
RSC002P03T316 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RSC002P03T316 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
| RSC002P03T316 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
RSC002P03T316 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
| RSC002P03T316 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |