RSF010P05TL Rohm Semiconductor


rsf010p05tl-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details RSF010P05TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSF010P05TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 1 A, 0.46 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 800mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm.

Weitere Produktangebote RSF010P05TL nach Preis ab 0.33 EUR bis 2.13 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RSF010P05TL RSF010P05TL Rohm Semiconductor rsf010p05tl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
auf Bestellung 12524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
28+0.75 EUR
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500+0.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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RSF010P05TL RSF010P05TL ROHM rsf010p05tl-e.pdf Description: ROHM - RSF010P05TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 1 A, 0.46 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
auf Bestellung 266 Stücke:
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118+2.13 EUR
243+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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RSF010P05TL RSF010P05TL ROHM Semiconductor rsf010p05tl-e-1873305.pdf MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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Description: MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSF010P05TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 1 A, 0.46 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 45V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
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MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
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