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RSF014N03TL

RSF014N03TL ROHM Semiconductor

rsf014n03tl-e.pdf
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs N-CH 30V 1.4A TUMT3
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Technische Details RSF014N03TL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RSF014N03TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.17 ohm, SOT-323T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 750mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-323T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote RSF014N03TL nach Preis ab 0.51 EUR bis 1.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RSF014N03TL RSF014N03TL Rohm Semiconductor rsf014n03tl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TUMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
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RSF014N03TL RSF014N03TL ROHM 2706701.pdf Description: ROHM - RSF014N03TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.17 ohm, SOT-323T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 750mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-323T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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RSF014N03TL RSF014N03TL ROHM 2706701.pdf Description: ROHM - RSF014N03TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.17 ohm, SOT-323T, Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 750mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-323T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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RSF014N03TL rsf014n03tl-e.pdf
RSF014N03TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TUMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSF014N03TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.17 ohm, SOT-323T, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 750mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-323T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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RSF014N03TL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSF014N03TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.17 ohm, SOT-323T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 750mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-323T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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