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RSH070P05GZETB

RSH070P05GZETB Rohm Semiconductor

rsh070p05-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Technische Details RSH070P05GZETB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSH070P05GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RSH070P05GZETB nach Preis ab 1.69 EUR bis 6.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RSH070P05GZETB RSH070P05GZETB ROHM ROHM-S-A0002428260-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - RSH070P05GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.4 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RSH070P05GZETB RSH070P05GZETB Rohm Semiconductor rsh070p05-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 45V 7A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.2 EUR
100+2.18 EUR
250+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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RSH070P05GZETB RSH070P05GZETB Rohm Semiconductor rsh070p05-e.pdf Description: MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 10 V
auf Bestellung 5922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
10+3.32 EUR
100+2.3 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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RSH070P05GZETB RSH070P05GZETB ROHM Semiconductor rsh070p05-e.pdf MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET
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1+5.21 EUR
10+3.39 EUR
100+2.34 EUR
500+1.95 EUR
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RSH070P05GZETB RSH070P05GZETB ROHM ROHM-S-A0002428260-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - RSH070P05GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.25 EUR
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100+2.4 EUR
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RSH070P05GZETB
Hersteller: ROHM
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Trans MOSFET P-CH Si 45V 7A 8-Pin SOP T/R
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 5 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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100+2.3 EUR
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RSH070P05GZETB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSH070P05GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 7A
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
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