
RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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67+ | 2.14 EUR |
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200+ | 1.52 EUR |
500+ | 1.24 EUR |
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Technische Details RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RSJ250P10FRATL nach Preis ab 1.25 EUR bis 3.46 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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RSJ250P10FRATL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263 Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 63mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: TO263 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RSJ250P10FRATL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263 Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 63mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: TO263 |
auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RSJ250P10FRATL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 777 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RSJ250P10FRATL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
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auf Bestellung 14055 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RSJ250P10FRATL | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RSJ250P10FRATL | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RSJ250P10FRATL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 745 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RSJ250P10FRATL | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RSJ250P10FRATL | Hersteller : ROHM - Japan |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RSJ250P10FRATL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
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