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RSJ250P10FRATL

RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.68 EUR
2000+1.56 EUR
3000+1.5 EUR
5000+1.43 EUR
7000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Technische Details RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL ROHM datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.07 EUR
3000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor rsj250p10fratl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.61 EUR
77+2.23 EUR
100+2 EUR
200+1.95 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL ROHM datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.92 EUR
200+2.38 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL ROHM SEMICONDUCTOR rsj250p10fratl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.39 EUR
39+2.19 EUR
51+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL ROHM Semiconductor datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs Pch -100V Vds -25A 0.05Rds(on) 60Qg
auf Bestellung 4873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.02 EUR
10+3.25 EUR
100+2.24 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.65 EUR
2000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
10+3.31 EUR
100+2.27 EUR
500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ250P10FRATL RSJ250P10FRATL ROHM datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.22 EUR
63+3.74 EUR
74+2.92 EUR
200+2.38 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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RSJ250P10FRATL ROHM - Japan datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C; RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor TRSJ250p10fratl
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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RSJ250P10FRATL datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSJ250P10FRATL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2.07 EUR
3000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ250P10FRATL rsj250p10fratl-e.pdf
RSJ250P10FRATL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+2.61 EUR
77+2.23 EUR
100+2 EUR
200+1.95 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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RSJ250P10FRATL datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSJ250P10FRATL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.92 EUR
200+2.38 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RSJ250P10FRATL rsj250p10fratl.pdf
RSJ250P10FRATL
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+3.39 EUR
39+2.19 EUR
51+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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RSJ250P10FRATL
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -100V Vds -25A 0.05Rds(on) 60Qg
auf Bestellung 4873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.02 EUR
10+3.25 EUR
100+2.24 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.65 EUR
2000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ250P10FRATL datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSJ250P10FRATL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+5.13 EUR
10+3.31 EUR
100+2.27 EUR
500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSJ250P10FRATL datasheet?p=RSJ250P10FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSJ250P10FRATL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSJ250P10FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.22 EUR
63+3.74 EUR
74+2.92 EUR
200+2.38 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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Hersteller: ROHM - Japan
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C; RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor TRSJ250p10fratl
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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