RSJ250P10TL

RSJ250P10TL Rohm Semiconductor


rsj250p10tl-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
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Technische Details RSJ250P10TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RSJ250P10TL RSJ250P10TL Hersteller : Rohm Semiconductor rsj250p10tl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
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RSJ250P10TL RSJ250P10TL Hersteller : Rohm Semiconductor rsj250p10tl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
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2500+1.56 EUR
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RSJ250P10TL RSJ250P10TL Hersteller : Rohm Semiconductor rsj250p10tl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
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50+3.77 EUR
100+3.51 EUR
250+3.27 EUR
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RSJ250P10TL RSJ250P10TL Hersteller : Rohm Semiconductor rsj250p10tl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
auf Bestellung 9603 Stücke:
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4+5.12 EUR
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100+2.62 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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RSJ250P10TL RSJ250P10TL Hersteller : ROHM Semiconductor rsj250p10tl-e.pdf MOSFETs PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE
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1+5.24 EUR
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500+2.5 EUR
1000+2.13 EUR
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RSJ250P10TL RSJ250P10TL Hersteller : ROHM rsj250p10tl-e.pdf Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RSJ250P10TL RSJ250P10TL Hersteller : ROHM rsj250p10tl-e.pdf Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RSJ250P10TL Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR rsj250p10tl-e.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RSJ250P10TL Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR rsj250p10tl-e.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
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