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RSJ250P10TL

RSJ250P10TL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2.64 EUR
2000+2.48 EUR
3000+2.39 EUR
5000+2.37 EUR
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Technische Details RSJ250P10TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RSJ250P10TL nach Preis ab 1.39 EUR bis 9.22 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RSJ250P10TL RSJ250P10TL Rohm Semiconductor rsj250p10tl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 6743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.81 EUR
69+2.51 EUR
100+2 EUR
200+1.83 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.57 EUR
2000+1.44 EUR
4000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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RSJ250P10TL RSJ250P10TL Rohm Semiconductor rsj250p10tl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 3576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.89 EUR
63+2.74 EUR
100+2.59 EUR
250+2.45 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.26 EUR
2500+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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RSJ250P10TL RSJ250P10TL ROHM datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.41 EUR
200+3.64 EUR
500+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RSJ250P10TL RSJ250P10TL Rohm Semiconductor rsj250p10tl-e.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.95 EUR
50+4.7 EUR
100+4.44 EUR
250+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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RSJ250P10TL RSJ250P10TL ROHM Semiconductor datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE
auf Bestellung 2707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.95 EUR
10+4.57 EUR
100+3.2 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.64 EUR
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RSJ250P10TL RSJ250P10TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
auf Bestellung 8540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+4.96 EUR
100+3.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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RSJ250P10TL RSJ250P10TL ROHM datasheet?p=RSJ250P10&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.22 EUR
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50+4.41 EUR
200+3.64 EUR
500+3.24 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 6743 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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100+2 EUR
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Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 3576 Stücke:
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RSJ250P10TL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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MOSFETs PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE
auf Bestellung 2707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.95 EUR
10+4.57 EUR
100+3.2 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.64 EUR
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RSJ250P10TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
auf Bestellung 8540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.58 EUR
10+4.96 EUR
100+3.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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RSJ250P10TL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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28+9.22 EUR
42+5.62 EUR
50+4.41 EUR
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