RSJ250P10TL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 2.08 EUR |
| 2000+ | 1.99 EUR |
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Technische Details RSJ250P10TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RSJ250P10TL nach Preis ab 1.03 EUR bis 5.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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RSJ250P10TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
auf Bestellung 6743 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RSJ250P10TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
auf Bestellung 3576 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RSJ250P10TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RSJ250P10TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 100V 25A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9603 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RSJ250P10TL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE |
auf Bestellung 6160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RSJ250P10TL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2291 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RSJ250P10TL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RSJ250P10TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 25 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2291 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RSJ250P10TL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: D2PAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| RSJ250P10TL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: D2PAK |
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