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RSM002P03T2L

RSM002P03T2L Rohm Semiconductor

rsm002p03-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
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Technische Details RSM002P03T2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSM002P03T2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 1.4 ohm, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: -, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RSM002P03T2L RSM002P03T2L ROHM Semiconductor rsm002p03-e.pdf MOSFETs P-CH 30V 200MA
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3+1.31 EUR
10+0.82 EUR
100+0.54 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.35 EUR
8000+0.27 EUR
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RSM002P03T2L RSM002P03T2L Rohm Semiconductor rsm002p03-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
auf Bestellung 13572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
23+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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RSM002P03T2L RSM002P03T2L ROHM rsm002p03-e.pdf Description: ROHM - RSM002P03T2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 1.4 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
auf Bestellung 7600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.81 EUR
306+0.76 EUR
348+0.62 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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RSM002P03T2L
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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