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RSQ015N06TR

RSQ015N06TR ROHM

rsq015n06tr-e.pdf Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSQ015N06TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details RSQ015N06TR ROHM

Description: ROHM - RSQ015N06TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-457T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RSQ015N06TR RSQ015N06TR Hersteller : ROHM rsq015n06tr-e.pdf Description: ROHM - RSQ015N06TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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RSQ015N06TR Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR rsq015n06tr-e.pdf RSQ015N06TR SMD N channel transistors
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RSQ015N06TR RSQ015N06TR Hersteller : Rohm Semiconductor rsq015n06tr-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
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RSQ015N06TR RSQ015N06TR Hersteller : Rohm Semiconductor rsq015n06tr-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
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RSQ015N06TR RSQ015N06TR Hersteller : ROHM Semiconductor rsq015n06tr-e.pdf MOSFETs SW MOSFET MID PWR N-CH 60V 1.5A
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