Produkte > ROHM > RSQ015P10FRATR
RSQ015P10FRATR

RSQ015P10FRATR ROHM


Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSQ015P10FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.35 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2268 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RSQ015P10FRATR ROHM

Description: ROHM - RSQ015P10FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.35 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-457T, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RSQ015P10FRATR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RSQ015P10FRATR RSQ015P10FRATR Hersteller : ROHM Description: ROHM - RSQ015P10FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.35 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ015P10FRATR Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; Idm: -6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TSMT6
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.54Ω
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSQ015P10FRATR Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.5A; Idm: -6A; 1.25W; TSMT6
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TSMT6
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.54Ω
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH