RSQ030N08HZGTR Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 3A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.56 EUR |
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Technische Details RSQ030N08HZGTR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSQ030N08HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.131 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-457T, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm.
Weitere Produktangebote RSQ030N08HZGTR nach Preis ab 0.58 EUR bis 3.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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RSQ030N08HZGTR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 80V 3A TSMT6 Grade: Automotive Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V |
auf Bestellung 4364 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RSQ030N08HZGTR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Automotive Nch 80V 3A Small Signal MOSFET |
auf Bestellung 5906 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RSQ030N08HZGTR | ROHM |
Description: ROHM - RSQ030N08HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.131 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-457T Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm |
auf Bestellung 2740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RSQ030N08HZGTR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 3A TSMT6
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Description: MOSFET N-CH 80V 3A TSMT6
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 131mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
auf Bestellung 4364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 1.52 EUR |
| 20+ | 1.09 EUR |
| 100+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| RSQ030N08HZGTR |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Automotive Nch 80V 3A Small Signal MOSFET
MOSFETs Automotive Nch 80V 3A Small Signal MOSFET
auf Bestellung 5906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.37 EUR |
| 10+ | 1.09 EUR |
| 100+ | 0.96 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| 3000+ | 0.6 EUR |
| 6000+ | 0.58 EUR |
| RSQ030N08HZGTR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSQ030N08HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.131 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
Description: ROHM - RSQ030N08HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.131 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 80+ | 3.12 EUR |
| 166+ | 1.4 EUR |
| 218+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |