RSR010N10HZGTL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details RSR010N10HZGTL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote RSR010N10HZGTL nach Preis ab 0.45 EUR bis 2.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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RSR010N10HZGTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RSR010N10HZGTL | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 100V 1A Small Signal MOSFET |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RSR010N10HZGTL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 5255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RSR010N10HZGTL | ROHM |
Description: ROHM - RSR010N10HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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RSR010N10HZGTL | ROHM |
Description: ROHM - RSR010N10HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RSR010N10HZGTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 304+ | 0.57 EUR |
| 316+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| 2500+ | 0.46 EUR |
| RSR010N10HZGTL |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 100V 1A Small Signal MOSFET
MOSFETs Nch 100V 1A Small Signal MOSFET
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.68 EUR |
| 10+ | 1.21 EUR |
| 100+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.56 EUR |
| 3000+ | 0.49 EUR |
| 6000+ | 0.45 EUR |
| RSR010N10HZGTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.15 EUR |
| 16+ | 1.34 EUR |
| 100+ | 0.88 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
| RSR010N10HZGTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSR010N10HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RSR010N10HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 1A
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| RSR010N10HZGTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSR010N10HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RSR010N10HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.37 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)



