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RSR020P05HZGTL

RSR020P05HZGTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RSR020P05HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.51 EUR
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Technische Details RSR020P05HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSR020P05HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm.

Weitere Produktangebote RSR020P05HZGTL nach Preis ab 0.48 EUR bis 2.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RSR020P05HZGTL RSR020P05HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RSR020P05HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11924 Stücke:
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11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
50+0.95 EUR
100+0.84 EUR
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Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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RSR020P05HZGTL RSR020P05HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RSR020P05HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs Transistor, MOSFET Pch -45V -2A, DriveVoltage:-4 SOT346T
auf Bestellung 428 Stücke:
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2+2.09 EUR
10+0.96 EUR
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500+0.65 EUR
1000+0.62 EUR
3000+0.51 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RSR020P05HZGTL RSR020P05HZGTL ROHM datasheet?p=RSR020P05HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RSR020P05HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
204+1.14 EUR
261+0.82 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Dauer-Drainstrom Id: 2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
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RSR020P05HZGTL ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RSR020P05HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -45V; -2A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSMT3
On-state resistance: 0.19Ω
Power dissipation: 1W
Drain current: -2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -45V
Type of transistor: P-MOSFET
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 235 Stücke
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RSR020P05HZGTL datasheet?p=RSR020P05HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RSR020P05HZGTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch -45V -2A, DriveVoltage:-4 SOT346T
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AnzahlPrivatkunde
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RSR020P05HZGTL
Hersteller: ROHM
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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RSR020P05HZGTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSR020P05HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
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Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -45V; -2A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSMT3
On-state resistance: 0.19Ω
Power dissipation: 1W
Drain current: -2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -45V
Type of transistor: P-MOSFET
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