RSR025N03HZGTL Rohm Semiconductor
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Technische Details RSR025N03HZGTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.
Weitere Produktangebote RSR025N03HZGTL nach Preis ab 0.37 EUR bis 2.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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RSR025N03HZGTL | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RSR025N03HZGTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RSR025N03HZGTL | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, Automotive Nch 30V 2.5A Small Signal MOSFET |
auf Bestellung 1680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RSR025N03HZGTL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2745 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RSR025N03HZGTL | ROHM |
Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RSR025N03HZGTL | ROHM |
Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RSR025N03HZGTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
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|---|---|
| 118+ | 1.51 EUR |
| RSR025N03HZGTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1139 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 309+ | 1.71 EUR |
| RSR025N03HZGTL |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, Automotive Nch 30V 2.5A Small Signal MOSFET
MOSFETs Transistor, Automotive Nch 30V 2.5A Small Signal MOSFET
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.76 EUR |
| 10+ | 0.81 EUR |
| 100+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| 3000+ | 0.43 EUR |
| 9000+ | 0.37 EUR |
| RSR025N03HZGTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 1.8 EUR |
| 19+ | 1.12 EUR |
| 50+ | 0.82 EUR |
| 100+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| RSR025N03HZGTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 118+ | 2.13 EUR |
| 190+ | 1.23 EUR |
| 292+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 1000+ | 0.51 EUR |
| RSR025N03HZGTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 118+ | 2.13 EUR |
| 190+ | 1.23 EUR |
| 292+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 1000+ | 0.51 EUR |