Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RSR025N03HZGTL
RSR025N03HZGTL

RSR025N03HZGTL ROHM Semiconductor

rsr025n03hzgtl-e.pdf
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Automotive Nch 30V 2.5A Small Signal MOSFET
auf Bestellung 9880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.26 EUR
10+0.87 EUR
100+0.64 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RSR025N03HZGTL ROHM Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TSMT3, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-96, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote RSR025N03HZGTL nach Preis ab 0.51 EUR bis 1.86 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RSR025N03HZGTL RSR025N03HZGTL Rohm Semiconductor rsr025n03hzgtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 1923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.62 EUR
19+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR025N03HZGTL RSR025N03HZGTL ROHM rsr025n03hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.86 EUR
208+1.12 EUR
285+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR025N03HZGTL RSR025N03HZGTL ROHM rsr025n03hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.86 EUR
208+1.12 EUR
285+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR025N03HZGTL rsr025n03hzgtl-e.pdf
RSR025N03HZGTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 1923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.62 EUR
19+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR025N03HZGTL rsr025n03hzgtl-e.pdf
RSR025N03HZGTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
135+1.86 EUR
208+1.12 EUR
285+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR025N03HZGTL rsr025n03hzgtl-e.pdf
RSR025N03HZGTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
135+1.86 EUR
208+1.12 EUR
285+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH