RSR025P03FRATL ROHM
Hersteller: ROHMDescription: ROHM - RSR025P03FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details RSR025P03FRATL ROHM
Description: ROHM - RSR025P03FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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RSR025P03FRATL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RSR025P03FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RSR025P03FRATL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -10A; 1W; TSMT3 Mounting: SMD Case: TSMT3 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 5.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -10A Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.5A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| RSR025P03FRATL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -10A; 1W; TSMT3 Mounting: SMD Case: TSMT3 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 5.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -10A Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.5A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W |
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