Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RSR025P03HZGTL
RSR025P03HZGTL

RSR025P03HZGTL Rohm Semiconductor

rsr025p03hzgtl-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.33 EUR
6000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RSR025P03HZGTL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote RSR025P03HZGTL nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RSR025P03HZGTL RSR025P03HZGTL Hersteller : Rohm Semiconductor rsr025p03hzgtl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
269+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 269
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR025P03HZGTL RSR025P03HZGTL Hersteller : Rohm Semiconductor rsr025p03hzgtl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
309+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 309
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR025P03HZGTL RSR025P03HZGTL Hersteller : Rohm Semiconductor rsr025p03hzgtl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.51 EUR
19+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR025P03HZGTL RSR025P03HZGTL Hersteller : ROHM Semiconductor rsr025p03hzgtl-e.pdf MOSFETs SOT346 P CHAN 30V
auf Bestellung 3208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.57 EUR
10+0.98 EUR
100+0.64 EUR
250+0.62 EUR
500+0.50 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR025P03HZGTL RSR025P03HZGTL Hersteller : ROHM rsr025p03hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RSR025P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR025P03HZGTL RSR025P03HZGTL Hersteller : ROHM rsr025p03hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RSR025P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH