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RSR025P03HZGTL

RSR025P03HZGTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RSR025P03HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details RSR025P03HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSR025P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.098 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RSR025P03HZGTL RSR025P03HZGTL Rohm Semiconductor rsr025p03hzgtl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RSR025P03HZGTL RSR025P03HZGTL Rohm Semiconductor rsr025p03hzgtl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2545 Stücke:
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RSR025P03HZGTL RSR025P03HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RSR025P03HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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12+1.78 EUR
19+1.11 EUR
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RSR025P03HZGTL RSR025P03HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RSR025P03HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs SOT346 P CHAN 30V
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10+1.17 EUR
100+0.76 EUR
250+0.74 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
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Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
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