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RSR030N06HZGTL

RSR030N06HZGTL ROHM SEMICONDUCTOR

rsr030n06hzgtl-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TSMT3
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 3A
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 0.105Ω
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2200 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
57+1.5 EUR
92+0.93 EUR
140+0.61 EUR
250+0.52 EUR
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Technische Details RSR030N06HZGTL ROHM SEMICONDUCTOR

Description: ROHM - RSR030N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.085 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote RSR030N06HZGTL nach Preis ab 0.5 EUR bis 2.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RSR030N06HZGTL RSR030N06HZGTL ROHM Semiconductor rsr030n06hzgtl-e.pdf MOSFETs Automotive Nch 60V 3A Small Signal MOSFET
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.52 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RSR030N06HZGTL RSR030N06HZGTL Rohm Semiconductor rsr030n06hzgtl-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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RSR030N06HZGTL RSR030N06HZGTL ROHM rsr030n06hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RSR030N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.085 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.5 EUR
160+1.45 EUR
243+0.88 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Description: ROHM - RSR030N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.085 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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