RSR030N06HZGTL ROHM SEMICONDUCTOR
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 61+ | 1.17 EUR |
| 99+ | 0.73 EUR |
| 147+ | 0.49 EUR |
| 250+ | 0.41 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
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Technische Details RSR030N06HZGTL ROHM SEMICONDUCTOR
Description: ROHM - RSR030N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.085 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RSR030N06HZGTL nach Preis ab 0.5 EUR bis 1.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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RSR030N06HZGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2484 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RSR030N06HZGTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RSR030N06HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.085 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2837 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RSR030N06HZGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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RSR030N06HZGTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Automotive Nch 60V 3A Small Signal MOSFET |
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