RTQ020N05HZGTR Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 755+ | 0.23 EUR |
| 785+ | 0.21 EUR |
| 2000+ | 0.2 EUR |
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Technische Details RTQ020N05HZGTR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V.
Weitere Produktangebote RTQ020N05HZGTR nach Preis ab 0.39 EUR bis 2.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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RTQ020N05HZGTR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 45V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RTQ020N05HZGTR | ROHM Semiconductor |
MOSFET Automotive Nch 45V 2A Small Signal MOSFET. RTQ020N05HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101. |
auf Bestellung 2031 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RTQ020N05HZGTR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) |
auf Bestellung 981 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RTQ020N05HZGTR | ROHM |
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RTQ020N05HZGTR | ROHM |
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RTQ020N05HZGTR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 45V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET N-CH 45V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 273+ | 0.64 EUR |
| 284+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
| RTQ020N05HZGTR |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET Automotive Nch 45V 2A Small Signal MOSFET. RTQ020N05HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
MOSFET Automotive Nch 45V 2A Small Signal MOSFET. RTQ020N05HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.25 EUR |
| 10+ | 1.08 EUR |
| 100+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| 3000+ | 0.45 EUR |
| 9000+ | 0.39 EUR |
| RTQ020N05HZGTR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 1.26 EUR |
| 20+ | 1.07 EUR |
| 100+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| RTQ020N05HZGTR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 118+ | 2.13 EUR |
| 181+ | 1.29 EUR |
| 274+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| RTQ020N05HZGTR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RTQ020N05HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.19 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 112+ | 2.25 EUR |
| 179+ | 1.3 EUR |
| 275+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |




