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RTQ035P02HZGTR Rohm Semiconductor


rtq035p02hzgtr-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
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Technische Details RTQ035P02HZGTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RTQ035P02HZGTR RTQ035P02HZGTR Rohm Semiconductor rtq035p02hzgtr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
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RTQ035P02HZGTR RTQ035P02HZGTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ035P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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RTQ035P02HZGTR RTQ035P02HZGTR ROHM datasheet?p=RTQ035P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTQ035P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
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RTQ035P02HZGTR datasheet?p=RTQ035P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RTQ035P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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Kanaltyp: p-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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AnzahlPrivatkunde
115+2.19 EUR
158+1.48 EUR
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