RTQ035P02HZGTR Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 283+ | 0.63 EUR |
| 305+ | 0.57 EUR |
| 306+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
283 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RTQ035P02HZGTR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote RTQ035P02HZGTR nach Preis ab 0.65 EUR bis 2.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RTQ035P02HZGTR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R |
auf Bestellung 2420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
RTQ035P02HZGTR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2591 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
RTQ035P02HZGTR | ROHM |
Description: ROHM - RTQ035P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
RTQ035P02HZGTR | ROHM |
Description: ROHM - RTQ035P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| RTQ035P02HZGTR |
![]() |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 188+ | 0.95 EUR |
| 250+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| RTQ035P02HZGTR |
![]() |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 1.71 EUR |
| 15+ | 1.49 EUR |
| 100+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| 1000+ | 0.74 EUR |
| RTQ035P02HZGTR |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RTQ035P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RTQ035P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 115+ | 2.19 EUR |
| 158+ | 1.48 EUR |
| 215+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |
| RTQ035P02HZGTR |
![]() |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RTQ035P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RTQ035P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 115+ | 2.19 EUR |
| 158+ | 1.48 EUR |
| 215+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.65 EUR |




