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RTR020P02HZGTL

RTR020P02HZGTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RTR020P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.54 EUR
6000+0.49 EUR
9000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details RTR020P02HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RTR020P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.1 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote RTR020P02HZGTL nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.8 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RTR020P02HZGTL RTR020P02HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RTR020P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs MOSFET Pch -20V -2A, DriveVoltage:-2.5 SOT346T
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.21 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RTR020P02HZGTL RTR020P02HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RTR020P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 13189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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RTR020P02HZGTL RTR020P02HZGTL ROHM datasheet?p=RTR020P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTR020P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.1 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
156+1.5 EUR
219+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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RTR020P02HZGTL RTR020P02HZGTL ROHM datasheet?p=RTR020P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTR020P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.1 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.8 EUR
150+1.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RTR020P02HZGTL
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs MOSFET Pch -20V -2A, DriveVoltage:-2.5 SOT346T
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RTR020P02HZGTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
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Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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RTR020P02HZGTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RTR020P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.1 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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RTR020P02HZGTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RTR020P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.1 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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