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RTR025N05HZGTL

RTR025N05HZGTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RTR025N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.42 EUR
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Technische Details RTR025N05HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RTR025N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RTR025N05HZGTL nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RTR025N05HZGTL RTR025N05HZGTL ROHM rtr025n05hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RTR025N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.54 EUR
240+0.98 EUR
353+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
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RTR025N05HZGTL RTR025N05HZGTL ROHM rtr025n05hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RTR025N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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RTR025N05HZGTL RTR025N05HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RTR025N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 45V 2.5A Small Signal MOSFET
auf Bestellung 1962 Stücke:
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10+1.01 EUR
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500+0.54 EUR
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3000+0.38 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RTR025N05HZGTL RTR025N05HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RTR025N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
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RTR025N05HZGTL rtr025n05hzgtl-e.pdf
RTR025N05HZGTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RTR025N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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RTR025N05HZGTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RTR025N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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RTR025N05HZGTL
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 45V 2.5A Small Signal MOSFET
auf Bestellung 1962 Stücke:
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100+0.69 EUR
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3000+0.38 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
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AnzahlPrivatkunde
13+1.71 EUR
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