
RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
auf Bestellung 2313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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48+ | 0.37 EUR |
76+ | 0.23 EUR |
121+ | 0.15 EUR |
500+ | 0.11 EUR |
1000+ | 0.09 EUR |
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Technische Details RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RU1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323FL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RU1C001ZPTL nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.39 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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RU1C001ZPTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
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auf Bestellung 7754 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RU1C001ZPTL | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RU1C001ZPTL | Hersteller : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RU1C001ZPTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 1657 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RU1C001ZPTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V |
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