RU1C001ZPTL

RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RU1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
auf Bestellung 2313 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+0.37 EUR
76+0.23 EUR
121+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RU1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323FL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RU1C001ZPTL nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.39 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RU1C001ZPTL RU1C001ZPTL Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RU1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 1.2V Drive Pch MOSFET
auf Bestellung 7754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+0.39 EUR
13+0.23 EUR
100+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
3000+0.08 EUR
9000+0.06 EUR
24000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C001ZPTL RU1C001ZPTL Hersteller : ROHM ru1c001zptl-e.pdf Description: ROHM - RU1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C001ZPTL RU1C001ZPTL Hersteller : ROHM datasheet?p=RU1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RU1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C001ZPTL Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RU1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RU1C001ZPTL SMD P channel transistors
auf Bestellung 1657 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
203+0.35 EUR
1657+0.04 EUR
99000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 203
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RU1C001ZPTL RU1C001ZPTL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH