RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 2025+ | 0.07 EUR |
| 2370+ | 0.06 EUR |
| 2494+ | 0.06 EUR |
| 3000+ | 0.05 EUR |
| 6000+ | 0.05 EUR |
| 12000+ | 0.04 EUR |
| 24000+ | 0.04 EUR |
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Technische Details RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323FL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RU1C002ZPTCL nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.40 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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RU1C002ZPTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3FPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V |
auf Bestellung 138000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RU1C002ZPTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R |
auf Bestellung 3054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RU1C002ZPTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RU1C002ZPTCL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch |
auf Bestellung 200186 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RU1C002ZPTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V |
auf Bestellung 144906 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RU1C002ZPTCL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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RU1C002ZPTCL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RU1C002ZPTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| RU1C002ZPTCL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
RU1C002ZPTCL SMD P channel transistors |
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