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RUC002N05HZGT116

RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RUC002N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 84000 Stücke:

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Technische Details RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RUC002N05HZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RUC002N05HZGT116 RUC002N05HZGT116 Hersteller : Rohm Semiconductor ruc002n05hzgt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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RUC002N05HZGT116 RUC002N05HZGT116 Hersteller : Rohm Semiconductor ruc002n05hzgt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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RUC002N05HZGT116 RUC002N05HZGT116 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RUC002N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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RUC002N05HZGT116 RUC002N05HZGT116 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RUC002N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 50V Vds 0.2A 2.4Rds(on) SOT-23
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Mindestbestellmenge: 8
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RUC002N05HZGT116 RUC002N05HZGT116 Hersteller : ROHM datasheet?p=RUC002N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUC002N05HZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RUC002N05HZGT116 RUC002N05HZGT116 Hersteller : ROHM datasheet?p=RUC002N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUC002N05HZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RUC002N05HZGT116 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RUC002N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RUC002N05HZGT116 SMD N channel transistors
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