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RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RUC002N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.083 EUR
6000+0.074 EUR
9000+0.07 EUR
15000+0.064 EUR
21000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RUC002N05HZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RUC002N05HZGT116 nach Preis ab 0.063 EUR bis 0.51 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RUC002N05HZGT116 RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor ruc002n05hzgt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1128+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1128 Stücke
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RUC002N05HZGT116 RUC002N05HZGT116 Rohm Semiconductor ruc002n05hzgt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 14410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1051+0.17 EUR
1086+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1051 Stücke
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RUC002N05HZGT116 RUC002N05HZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=RUC002N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 50V Vds 0.2A 2.4Rds(on) SOT-23
auf Bestellung 6455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.38 EUR
15+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
3000+0.069 EUR
6000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 22735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
84+0.25 EUR
135+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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RUC002N05HZGT116 RUC002N05HZGT116 ROHM datasheet?p=RUC002N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUC002N05HZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
569+0.44 EUR
800+0.29 EUR
1356+0.15 EUR
2146+0.1 EUR
2189+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 569 Stücke
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
491+0.51 EUR
807+0.29 EUR
1284+0.17 EUR
1743+0.12 EUR
2184+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 491 Stücke
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RUC002N05HZGT116 ruc002n05hzgt116-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3804 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1128+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1128 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 14410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1051+0.17 EUR
1086+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1051 Stücke
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MOSFETs Nch 50V Vds 0.2A 2.4Rds(on) SOT-23
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.38 EUR
15+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
3000+0.069 EUR
6000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RUC002N05HZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Mindestbestellmenge: 569 Stücke
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RUC002N05HZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: SOT-23
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5425 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
491+0.51 EUR
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1284+0.17 EUR
1743+0.12 EUR
2184+0.098 EUR
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