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RUL035N02FRATR

RUL035N02FRATR ROHM Semiconductor

datasheet?p=RUL035N02FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 20V Vds 3.5A 0.066Rds(on) 5.7Qg
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Technische Details RUL035N02FRATR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RUL035N02FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.031 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RUL035N02FRATR RUL035N02FRATR Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RUL035N02FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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RUL035N02FRATR RUL035N02FRATR Hersteller : ROHM datasheet?p=RUL035N02FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUL035N02FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.031 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RUL035N02FRATR RUL035N02FRATR Hersteller : ROHM datasheet?p=RUL035N02FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUL035N02FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.031 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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RUL035N02FRATR RUL035N02FRATR Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RUL035N02FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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