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RUM002N02T2L

RUM002N02T2L Rohm Semiconductor

datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
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Technische Details RUM002N02T2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor rum002n02t2l-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 15400 Stücke:
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RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor rum002n02t2l-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
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RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor rum002n02t2l-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
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1298+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
10000+0.11 EUR
25000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1298 Stücke
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RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor rum002n02t2l-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 19058 Stücke:
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1298+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1298 Stücke
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RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor rum002n02t2l-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 5700 Stücke:
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2500+0.23 EUR
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RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor rum002n02t2l-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
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506+0.35 EUR
657+0.26 EUR
815+0.2 EUR
1588+0.1 EUR
8000+0.079 EUR
24000+0.075 EUR
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RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor rum002n02t2l-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
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506+0.33 EUR
657+0.24 EUR
815+0.19 EUR
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RUM002N02T2L RUM002N02T2L ROHM Semiconductor datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs SW MOSFET SMLL SIG N-CH 20V .2A
auf Bestellung 164552 Stücke:
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6+0.63 EUR
13+0.27 EUR
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RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 329598 Stücke:
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RUM002N02T2L RUM002N02T2L ROHM rum002n02t2l-e.pdf Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
auf Bestellung 5121 Stücke:
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326+0.76 EUR
741+0.31 EUR
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RUM002N02T2L RUM002N02T2L ROHM rum002n02t2l-e.pdf Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
auf Bestellung 5121 Stücke:
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RUM002N02T2L RUM002N02T2L ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.2A; Idm: 0.4A; 150mW; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 4112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor rum002n02t2l-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RUM002N02T2L datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RUM002N02 T2L ROHM SOT23
auf Bestellung 5104 Stücke:
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RUM002N02T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 15400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1465+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1465 Stücke
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RUM002N02T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 7944 Stücke:
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1397+0.12 EUR
2500+0.12 EUR
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RUM002N02T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1298+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
10000+0.11 EUR
25000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1298 Stücke
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RUM002N02T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 19058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1298+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1298 Stücke
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RUM002N02T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
740+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 740 Stücke
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RUM002N02T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 406837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
506+0.35 EUR
657+0.26 EUR
815+0.2 EUR
1588+0.1 EUR
8000+0.079 EUR
24000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 506 Stücke
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RUM002N02T2L rum002n02t2l-e.pdf
RUM002N02T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 406837 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
313+0.55 EUR
506+0.33 EUR
657+0.24 EUR
815+0.19 EUR
1588+0.093 EUR
8000+0.069 EUR
24000+0.064 EUR
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RUM002N02T2L
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs SW MOSFET SMLL SIG N-CH 20V .2A
auf Bestellung 164552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.63 EUR
13+0.27 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
2500+0.17 EUR
5000+0.11 EUR
8000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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RUM002N02T2L datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUM002N02T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 329598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+0.63 EUR
56+0.38 EUR
77+0.27 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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RUM002N02T2L rum002n02t2l-e.pdf
RUM002N02T2L
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
auf Bestellung 5121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
326+0.76 EUR
741+0.31 EUR
863+0.25 EUR
1153+0.19 EUR
4000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 326 Stücke
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RUM002N02T2L
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
auf Bestellung 5121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
326+0.76 EUR
741+0.31 EUR
863+0.25 EUR
1153+0.19 EUR
4000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 326 Stücke
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RUM002N02T2L
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.2A; Idm: 0.4A; 150mW; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 4112 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RUM002N02T2L rum002n02t2l-e.pdf
RUM002N02T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RUM002N02T2L datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RUM002N02 T2L
Hersteller: ROHM
SOT23
auf Bestellung 5104 Stücke:
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