RUM002N02T2L Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 648000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 8000+ | 0.1 EUR |
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Technische Details RUM002N02T2L Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RUM002N02T2L nach Preis ab 0.058 EUR bis 0.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RUM002N02T2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
auf Bestellung 654102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RUM002N02T2L | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET SW MOSFET SMLL SIG N-CH 20V .2A |
auf Bestellung 280159 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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RUM002N02T2L | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 8999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RUM002N02T2L | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
RUM002N02T2L SMD N channel transistors |
auf Bestellung 810 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| RUM002N02T2L |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| RUM002N02 T2L | Hersteller : ROHM | SOT23 |
auf Bestellung 5104 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |