RUM002N02T2L Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 504000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8000+ | 0.07 EUR |
| 16000+ | 0.07 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RUM002N02T2L Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RUM002N02T2L nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RUM002N02T2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
auf Bestellung 506837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
RUM002N02T2L | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET SW MOSFET SMLL SIG N-CH 20V .2A |
auf Bestellung 280159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
RUM002N02T2L | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
RUM002N02T2L | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RUM002N02T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, VMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| RUM002N02T2L | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
RUM002N02T2L SMD N channel transistors |
auf Bestellung 7989 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| RUM002N02T2L |
|
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
| RUM002N02 T2L | Hersteller : ROHM | SOT23 |
auf Bestellung 5104 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |