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RUR040N02HZGTL

RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor

rur040n02hzgtl-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
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Technische Details RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

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RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Hersteller : Rohm Semiconductor rur040n02hzgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
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RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Hersteller : Rohm Semiconductor rur040n02hzgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
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RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Automotive Nch 20V 4A Small Signal MOSFET. RUR040N02HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
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RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Hersteller : ROHM 2864536.pdf Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Hersteller : ROHM 2864536.pdf Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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