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RUR040N02HZGTL

RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor

rur040n02hzgtl-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
343+0.51 EUR
344+0.5 EUR
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Technische Details RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TSMT3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-96, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor rur040n02hzgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.62 EUR
296+0.58 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor rur040n02hzgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.62 EUR
296+0.58 EUR
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Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
17+1.26 EUR
100+0.87 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Automotive Nch 20V 4A Small Signal MOSFET. RUR040N02HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL ROHM rur040n02hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
154+1.51 EUR
224+0.95 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL ROHM rur040n02hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
145+1.61 EUR
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500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RUR040N02HZGTL datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02HZGTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RUR040N02HZGTL rur040n02hzgtl-e.pdf
RUR040N02HZGTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
284+0.62 EUR
296+0.58 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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RUR040N02HZGTL rur040n02hzgtl-e.pdf
RUR040N02HZGTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
284+0.62 EUR
296+0.58 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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RUR040N02HZGTL datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02HZGTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+1.44 EUR
17+1.26 EUR
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1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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RUR040N02HZGTL datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02HZGTL
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Automotive Nch 20V 4A Small Signal MOSFET. RUR040N02HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
auf Bestellung 1959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.18 EUR
10+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RUR040N02HZGTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
114+2.2 EUR
154+1.51 EUR
224+0.95 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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RUR040N02HZGTL rur040n02hzgtl-e.pdf
RUR040N02HZGTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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AnzahlPrivatkunde
100+2.62 EUR
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1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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