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RUR040N02HZGTL

RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor

rur040n02hzgtl-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
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Technische Details RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.

Weitere Produktangebote RUR040N02HZGTL nach Preis ab 0.51 EUR bis 3.38 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor rur040n02hzgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
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284+0.63 EUR
296+0.6 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor rur040n02hzgtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
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RUR040N02HZGTL RUR040N02HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RUR040N02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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15+1.44 EUR
17+1.26 EUR
100+0.87 EUR
500+0.73 EUR
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Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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auf Bestellung 1959 Stücke:
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10+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.75 EUR
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
154+1.51 EUR
218+0.99 EUR
500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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auf Bestellung 537 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RUR040N02HZGTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
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Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
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Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RUR040N02HZGTL rur040n02hzgtl-e.pdf
RUR040N02HZGTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
284+0.63 EUR
296+0.6 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
284+0.63 EUR
296+0.6 EUR
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RUR040N02HZGTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5886 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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17+1.26 EUR
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RUR040N02HZGTL
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Automotive Nch 20V 4A Small Signal MOSFET. RUR040N02HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
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AnzahlPrivatkunde
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3000+0.52 EUR
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RUR040N02HZGTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
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Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
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AnzahlPrivatkunde
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154+1.51 EUR
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RUR040N02HZGTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.38 EUR
154+1.51 EUR
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