RUR040N02TL Rohm Semiconductor
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Technische Details RUR040N02TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RUR040N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RUR040N02TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin TSMT T/R |
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RUR040N02TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V |
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RUR040N02TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V |
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RUR040N02TL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 4A |
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RUR040N02TL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RUR040N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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RUR040N02TL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RUR040N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| RUR040N02TL | Hersteller : ROHM |
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| RUR040N02TL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; Idm: 8A; 1W; TSMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| RUR040N02TL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; Idm: 8A; 1W; TSMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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