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RUR040N02TL

RUR040N02TL Rohm Semiconductor

rur040n02tl-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 45848 Stücke:
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429+0.4 EUR
431+0.39 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
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12000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 429 Stücke
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Technische Details RUR040N02TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RUR040N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RUR040N02TL RUR040N02TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.51 EUR
6000+0.48 EUR
9000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RUR040N02TL RUR040N02TL Rohm Semiconductor rur040n02tl-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 4181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+0.58 EUR
310+0.56 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
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RUR040N02TL RUR040N02TL ROHM Semiconductor datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 4A
auf Bestellung 21627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+1.01 EUR
100+0.75 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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RUR040N02TL RUR040N02TL ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+1.3 EUR
106+0.81 EUR
160+0.54 EUR
200+0.48 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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RUR040N02TL RUR040N02TL ROHM datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUR040N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.74 EUR
170+1.37 EUR
274+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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RUR040N02TL RUR040N02TL ROHM datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUR040N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.74 EUR
170+1.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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RUR040N02TL RUR040N02TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
auf Bestellung 12553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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RUR040N02TL ROHM datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RUR040N02TL datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.51 EUR
6000+0.48 EUR
9000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RUR040N02TL rur040n02tl-e.pdf
RUR040N02TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 4181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
298+0.58 EUR
310+0.56 EUR
500+0.52 EUR
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2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
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RUR040N02TL
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 4A
auf Bestellung 21627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+1.01 EUR
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RUR040N02TL datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02TL
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+1.3 EUR
106+0.81 EUR
160+0.54 EUR
200+0.48 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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RUR040N02TL datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02TL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RUR040N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1580 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
145+1.74 EUR
170+1.37 EUR
274+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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RUR040N02TL datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02TL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RUR040N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1580 Stücke:
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145+1.74 EUR
170+1.37 EUR
274+0.79 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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RUR040N02TL datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR040N02TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
auf Bestellung 12553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RUR040N02TL datasheet?p=RUR040N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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