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RV1C001ZPT2L

RV1C001ZPT2L Rohm Semiconductor


datasheet?p=RV1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
auf Bestellung 40000 Stücke:

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Technische Details RV1C001ZPT2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RV1C001ZPT2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote RV1C001ZPT2L nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RV1C001ZPT2L RV1C001ZPT2L Hersteller : Rohm Semiconductor rv1c001zp-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.1A 3-Pin VML T/R
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1278+0.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 1278
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RV1C001ZPT2L RV1C001ZPT2L Hersteller : Rohm Semiconductor rv1c001zp-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.1A 3-Pin VML T/R
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RV1C001ZPT2L RV1C001ZPT2L Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RV1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Small Signal MOSFET
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10+0.30 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
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8000+0.08 EUR
24000+0.07 EUR
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RV1C001ZPT2L RV1C001ZPT2L Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RV1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
auf Bestellung 49336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+0.62 EUR
41+0.43 EUR
100+0.21 EUR
500+0.18 EUR
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2000+0.11 EUR
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RV1C001ZPT2L RV1C001ZPT2L Hersteller : ROHM rv1c001zp-e.pdf Description: ROHM - RV1C001ZPT2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RV1C001ZPT2L RV1C001ZPT2L Hersteller : ROHM rv1c001zp-e.pdf Description: ROHM - RV1C001ZPT2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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RV1C001ZPT2L Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RV1C001ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RV1C001ZPT2L SMD P channel transistors
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