RV1C001ZPT2L Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8000+ | 0.088 EUR |
| 16000+ | 0.086 EUR |
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Technische Details RV1C001ZPT2L Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV1C001ZPT2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RV1C001ZPT2L nach Preis ab 0.083 EUR bis 0.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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RV1C001ZPT2L | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.1A 3-Pin VML T/R |
auf Bestellung 3309 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RV1C001ZPT2L | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.1A 3-Pin VML T/R |
auf Bestellung 14934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RV1C001ZPT2L | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: VML0806 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 20040 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RV1C001ZPT2L | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Small Signal MOSFET |
auf Bestellung 14106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RV1C001ZPT2L | ROHM |
Description: ROHM - RV1C001ZPT2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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RV1C001ZPT2L | ROHM |
Description: ROHM - RV1C001ZPT2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RV1C001ZPT2L |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.1A 3-Pin VML T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 0.1A 3-Pin VML T/R
auf Bestellung 3309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 817+ | 0.21 EUR |
| 1000+ | 0.2 EUR |
| 2500+ | 0.19 EUR |
| RV1C001ZPT2L |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.1A 3-Pin VML T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 0.1A 3-Pin VML T/R
auf Bestellung 14934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 774+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 2000+ | 0.17 EUR |
| 8000+ | 0.15 EUR |
| RV1C001ZPT2L |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML0806
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML0806
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 20040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 0.55 EUR |
| 65+ | 0.32 EUR |
| 105+ | 0.2 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| 2000+ | 0.11 EUR |
| RV1C001ZPT2L |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Small Signal MOSFET
MOSFETs Small Signal MOSFET
auf Bestellung 14106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 0.6 EUR |
| 10+ | 0.36 EUR |
| 100+ | 0.17 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
| 2500+ | 0.12 EUR |
| 8000+ | 0.092 EUR |
| 24000+ | 0.083 EUR |
| RV1C001ZPT2L |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RV1C001ZPT2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RV1C001ZPT2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| RV1C001ZPT2L |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RV1C001ZPT2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RV1C001ZPT2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)