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RV2C002UNT2L

RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor

rv2c002un-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
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Technische Details RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 2 ohm, VML1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 100mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: VML1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML1006
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 40000 Stücke:
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8000+0.14 EUR
16000+0.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor rv2c002un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
auf Bestellung 3100 Stücke:
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404+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
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RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor rv2c002un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
auf Bestellung 3178 Stücke:
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404+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
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RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L ROHM Semiconductor datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 1.2V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 3672 Stücke:
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6+0.57 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.11 EUR
8000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML1006
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
auf Bestellung 44445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
47+0.45 EUR
100+0.29 EUR
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1000+0.19 EUR
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Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L ROHM rv2c002un-e.pdf Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 2 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L ROHM rv2c002un-e.pdf Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 2 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
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 Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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RV2C002UNT2L datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV2C002UNT2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML1006
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8000+0.14 EUR
16000+0.13 EUR
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RV2C002UNT2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
404+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
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RV2C002UNT2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
auf Bestellung 3178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
404+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
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MOSFETs 1.2V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 3672 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
6+0.57 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.11 EUR
8000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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RV2C002UNT2L datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV2C002UNT2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VML1006
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
auf Bestellung 44445 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
29+0.74 EUR
47+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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RV2C002UNT2L
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 2 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RV2C002UNT2L rv2c002un-e.pdf
RV2C002UNT2L
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 2 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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