RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 626+ | 0.23 EUR |
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| 2500+ | 0.18 EUR |
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Technische Details RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV2C010UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, VML1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: VML1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RV2C010UNT2L nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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RV2C010UNT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R |
auf Bestellung 15500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RV2C010UNT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R |
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RV2C010UNT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VML1006 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
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RV2C010UNT2L | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 20V 1A Nch Power MOSFET |
auf Bestellung 5015 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RV2C010UNT2L | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RV2C010UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, VML1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: VML1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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RV2C010UNT2L | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RV2C010UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, VML1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: VML1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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RV2C010UNT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VML1006 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
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