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RV2C010UNT2L

RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor

datasheet?p=RV2C010UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 64000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8000+0.15 EUR
16000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
56000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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Technische Details RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RV2C010UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, VML1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: VML1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RV2C010UNT2L nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor rv2c010un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
626+0.27 EUR
649+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 626 Stücke
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RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor rv2c010un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R
auf Bestellung 15500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
626+0.27 EUR
649+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
5000+0.23 EUR
10000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 626 Stücke
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RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor rv2c010un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R
auf Bestellung 7580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
626+0.27 EUR
649+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 626 Stücke
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RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L ROHM Semiconductor datasheet?p=RV2C010UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 20V 1A Nch Power MOSFET
auf Bestellung 5015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C010UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 70745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
43+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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RV2C010UNT2L RV2C010UNT2L ROHM rv2c010un-e.pdf Description: ROHM - RV2C010UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Bauform - Transistor: VML1006
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R
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AnzahlPrivatkunde
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MOSFETs 20V 1A Nch Power MOSFET
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5000+0.14 EUR
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RV2C010UNT2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
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Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
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Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 70745 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
26+0.82 EUR
43+0.5 EUR
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2000+0.19 EUR
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RV2C010UNT2L
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RV2C010UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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RV2C010UNT2L
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RV2C010UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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