RV2E014AJT2CL Rohm Semiconductor
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Technische Details RV2E014AJT2CL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.17 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.
Weitere Produktangebote RV2E014AJT2CL nach Preis ab 0.20 EUR bis 0.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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RV2E014AJT2CL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 30V 1.4A, DFN1006-3, SMALL SPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V |
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RV2E014AJT2CL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 30V 1.4A, DFN1006-3, SMALL S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V |
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RV2E014AJT2CL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 30V 1.4A, DFN1006-3, Small Signal MOSFET |
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RV2E014AJT2CL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.17 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm |
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RV2E014AJT2CL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.17 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt productTraceability: No rohsCompliant: YES Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
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