RV2E014AJT2CL Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 964+ | 0.18 EUR |
| 1051+ | 0.17 EUR |
| 1083+ | 0.15 EUR |
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Technische Details RV2E014AJT2CL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.17 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.
Weitere Produktangebote RV2E014AJT2CL nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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RV2E014AJT2CL | ROHM Semiconductor |
 MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 1.4A(Id), (2.5V Drive) |
auf Bestellung 7760 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RV2E014AJT2CL | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 30V 1.4A, DFN1006-3, SMALL S Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: DFN1006-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RV2E014AJT2CL | ROHM |
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.17 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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RV2E014AJT2CL | ROHM |
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.17 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt productTraceability: No rohsCompliant: YES Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RV2E014AJT2CL |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 1.4A(Id), (2.5V Drive)
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 1.4A(Id), (2.5V Drive)
auf Bestellung 7760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 0.46 EUR |
| 12+ | 0.29 EUR |
| 100+ | 0.23 EUR |
| 500+ | 0.21 EUR |
| 1000+ | 0.2 EUR |
| 5000+ | 0.19 EUR |
| RV2E014AJT2CL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 1.4A, DFN1006-3, SMALL S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: NCH 30V 1.4A, DFN1006-3, SMALL S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 0.46 EUR |
| 66+ | 0.32 EUR |
| 75+ | 0.29 EUR |
| 100+ | 0.24 EUR |
| 250+ | 0.23 EUR |
| 500+ | 0.21 EUR |
| 1000+ | 0.2 EUR |
| RV2E014AJT2CL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.17 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.17 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| RV2E014AJT2CL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.17 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ROHM - RV2E014AJT2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.17 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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rohsCompliant: YES
Kanaltyp: n-Kanal
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)